Research Group "Partial Differential Equations"

Semiconductor Seminar


The Semiconductor Seminar is a research seminar of the group Partial Differential Equations, where current research and results from the areas electronics, optics, and mechanics of semiconductors is presented and discussed. We are interested in aspects of modeling, simulation and numerical analysis, and mathematical analysis of different relevant modeling systems on different scales.

  • Organizer: Prof. Dr. A. Mielke
  • Place / Time: WIAS, Karl Weierstrass lecture room (4th floor), Wednesday, 9.30 a.m.
  • Contact: Dr. Nella Rotundo Dr. Dirk Peschka
  • Please note that seminar is now on Wednesday at 9.30am.


    17.05. 2017

    S. Reichelt (WIAS Berlin)
    Pulses in FitzHugh-Nagumo systems with periodic coefficients


    03.05. & 10.05. 2017

    J. Rehberg (WIAS Berlin)
    Van Roosbroeck's system is well-posed in case of general recombination terms
    Part I: Functional analytic preliminaries (03.05.2017)
    Part II : The analysis of the system (10.05.2017)


    02.03.2017

    H. D. Doan (WIAS Berlin)
    A unified Scharfetter Gummel scheme


    16.02.2017

    A. Glitzky (WIAS Berlin)
    Analysis for a $p(x)$-Laplace thermistor model describing electrothermal effects in organic semiconductor devices


    02.02.2017

    Dr. I. Y. Popov (ITMO University, St. Petersburg, Russia)
    Tunneling through periodic arrays of quantum dots and spectral problems

    Abstract: Periodic arrays of quantum dots in a constant magnetic field are considered. Two semi-infinite leads are attached to the system. We deal with tunneling through the system. Square and honeycomb lattices, single and double layers were investigated. Zero transmission for some values of the magnetic field is discussed.

    26.01.2017

    Arbi Moses Badlyan (Institut fr Mathematik, TU Berlin)
    On the Port-Hamiltonian Structure of the Navier-Stokes Equations for Reactive Flows


    19.01.2017

    M. Kantner (WIAS Berlin)
    Modeling of single-photon sources on a device level


    15.12.2016

    M. Liero (WIAS Berlin)
    Electro-thermal effects in organic semiconductors


    08.12.2016

    D. Peschka (WIAS Berlin)
    Gradient structure for optoelectronic models of semiconductors


    01.12.2016 Attention: the talk will be in ESH Lecture room

    A. Mielke (WIAS Berlin)
    Coupling of quantum and macroscopic systems (second part)


    24.11.2016

    A. Mielke (WIAS Berlin)
    Coupling of quantum and macroscopic systems



    16.11.2016

    S. Kayser (PhD student at IKZ Berlin)
    Lateral-Photovoltage-Scanning (LPS) - und Scanning-Photolumineszenz (SPL) - Methode


    Abstract: Widerstandsschwankungen in Si ,Ge oder Si_xGe_{1-x}-Wafern sind magebend fr die Qualitt des Wafers und definieren seine Zchtungsparameter. Eine Untersuchung der Schwankungen in der Dotierstoffkonzentration in Halbleitern ist mit der LPS-Methode zu erreichen. Die Simulationen zu der dargestellten Messmethode werden mit COMSOL Multiphysics durchgefhrt. Hierbei werden Finite-Volumen-Simulationen mit konstanten Ansatzfunktionen mithilfe Semiconductor-Modul kalkuliert. Als Dotierstoffschwankungen entlang der Probe wird ein Sinus vorgegeben. Die Generation von Elektron-Lochpaaren wird durch einen Laser mit konstanter Geschwindigkeit in der Halbleiterprobe verursacht. Die zeitabhngige Lsung dieses Problems wird mithilfe der van Roosbroeck Gleichung in den Variablen, Elektronen-, Lochdichte und elektrisches Potential, erreicht. Ziel der Simulationen ist zu untersuchen, ob eine lokale Bestimmung der Minorittsladungstrgerlebensdauer mithilfe der Phasenverschiebung zwischen Anregung und resultierender Spannung an den Probenenden mglich ist. Ebenfalls sollen Zusammenhnge mit der SPL-Methode, welche die lokale Lumineszenz aus den Rekombinationen der Elektronen-Loch-Paare bestimmt, analysiert werden.