Research Group "Partial Differential Equations"

Semiconductor Seminar


Organizer:
Prof. Dr. A. Mielke

Place/Time: WIAS, Karl Weierstrass lecture room (4th floor), Thursdays, 9 a.m.

Contact: Dr. N. Rotundo Dr. D. Peschka



02.03.2017

H. D. Doan (WIAS Berlin)
A unified Scharfetter Gummel scheme



16.02.2017

A. Glitzky (WIAS Berlin)
Analysis for a $p(x)$-Laplace thermistor model describing electrothermal effects in organic semiconductor devices



02.02.2017

Dr. I. Y. Popov (ITMO University, St. Petersburg, Russia)
Tunneling through periodic arrays of quantum dots and spectral problems


Abstract: Periodic arrays of quantum dots in a constant magnetic field are considered. Two semi-infinite leads are attached to the system. We deal with tunneling through the system. Square and honeycomb lattices, single and double layers were investigated. Zero transmission for some values of the magnetic field is discussed.

26.01.2017

Arbi Moses Badlyan (Institut fr Mathematik, TU Berlin)
On the Port-Hamiltonian Structure of the Navier-Stokes Equations for Reactive Flows



19.01.2017

M. Kantner (WIAS Berlin)
Modeling of single-photon sources on a device level



15.12.2016

M. Liero (WIAS Berlin)
Electro-thermal effects in organic semiconductors



08.12.2016

D. Peschka (WIAS Berlin)
Gradient structure for optoelectronic models of semiconductors



01.12.2016 Attention: the talk will be in ESH Lecture room

A. Mielke (WIAS Berlin)
Coupling of quantum and macroscopic systems (second part)



24.11.2016

A. Mielke (WIAS Berlin)
Coupling of quantum and macroscopic systems



16.11.2016

S. Kayser (PhD student at IKZ Berlin)
Lateral-Photovoltage-Scanning (LPS) - und Scanning-Photolumineszenz (SPL) - Methode


Abstract: Widerstandsschwankungen in Si ,Ge oder Si_xGe_{1-x}-Wafern sind magebend fr die Qualitt des Wafers und definieren seine Zchtungsparameter. Eine Untersuchung der Schwankungen in der Dotierstoffkonzentration in Halbleitern ist mit der LPS-Methode zu erreichen. Die Simulationen zu der dargestellten Messmethode werden mit COMSOL Multiphysics durchgefhrt. Hierbei werden Finite-Volumen-Simulationen mit konstanten Ansatzfunktionen mithilfe Semiconductor-Modul kalkuliert. Als Dotierstoffschwankungen entlang der Probe wird ein Sinus vorgegeben. Die Generation von Elektron-Lochpaaren wird durch einen Laser mit konstanter Geschwindigkeit in der Halbleiterprobe verursacht. Die zeitabhngige Lsung dieses Problems wird mithilfe der van Roosbroeck Gleichung in den Variablen, Elektronen-, Lochdichte und elektrisches Potential, erreicht. Ziel der Simulationen ist zu untersuchen, ob eine lokale Bestimmung der Minorittsladungstrgerlebensdauer mithilfe der Phasenverschiebung zwischen Anregung und resultierender Spannung an den Probenenden mglich ist. Ebenfalls sollen Zusammenhnge mit der SPL-Methode, welche die lokale Lumineszenz aus den Rekombinationen der Elektronen-Loch-Paare bestimmt, analysiert werden.