Bearbeiter: A. Glitzky
,
R. Hünlich
Kooperation: W. Merz (Technische Universität München)
Förderung: DFG: ,,Analytische Untersuchungen von
Elektro-Reaktions-Diffusionsgleichungen mit nichtglatten Daten``
Beschreibung der Forschungsarbeit:
Die im vergangenen Jahr begonnenen Untersuchungen zu
Paardiffusionsmodellen
(vgl. [3]) wurden fortgesetzt,
wobei jetzt auch spezielle Fälle von
Heterostrukturen diskutiert wurden.
Wir betrachten m Spezies Xi, von denen nur die ersten
l als diffundierend angenommen werden, und bezeichnen mit
das
chemische Potential der Elektronen,
sind geeignet gewählte
vom Ort und von
abhängende Referenzdichten, die
gemäß

mit den Ladungszahlen
zusammenhängen.
Da die Teilchendichten ui der diffundierenden Spezies nun
nicht mehr zu
gehören (sie liegen lediglich im dualen Raum),
werden die Gleichungen in den chemischen Aktivitäten bi=ui/pi0
formuliert,
die weiterhin H1-Größen sein sollen.
Die Modellgleichungen enthalten m
Kontinuitätsgleichungen
gekoppelt mit einer nichtlinearen Poissongleichung
und sehen wie folgt aus:
|  |
(1) |
Dabei ist
die Dielektrizität, f eine fixierte Ladungsdichte,
und
ist die Ladungsdichte
der Elektronen und Löcher.
Für die ersten l Spezies (Punktdefekte und Dotand-Defekt-Paare) nehmen wir
diffusiven und konvektiven Transport an, der durch den Stromausdruck
![\begin{displaymath}
j_i=-D_i(\cdot,b,\psi)p_{i0}\big[\nabla b_i+Q_i(\psi)\,
b_i\nabla\psi\big],~
i=1,\dots,l,\end{displaymath}](../1999/img57.gif)
gegeben ist. Ein Beispiel für
die
-Abhängigkeit der betrachteten
Diffusionskoeffizienten Di sowie der Ladungen Qi
ist für verschiedene Prozesstemperaturen in Abb. 1 dargestellt.
In allen Kontinuitätsgleichungen treten Volumenquellterme auf, die durch
Reaktionen
der Form

Abb. 1:
Phosphor-Interstitial-Paare in Silizium:
Diffusionskoeffizient (links) und Ladungszahl (rechts) als Funktion des
chemischen Potentials
bei verschiedenen Temperaturen (nach
[1]).
 |
entstehen, wobei
die Vektoren der stöchiometrischen Koeffizienten bezeichnen.
Die entsprechenden Reaktionsraten
lauten
gemäß dem Massenwirkungsgesetz

Gemeint sind damit verschiedene Paarbildungs- und
Generations-Rekombinationsreaktionen.
Für alle nicht diffundierenden Spezies Xi (Dotanden) wird die Existenz
einer Reaktion der Form
| ![\begin{displaymath}
R_{\alpha\beta}^\Omega=k^\Omega_{\alpha \beta}
\big[\prod_{j=1}^l a_j^{\alpha_j}-a_i^2\big]\end{displaymath}](../1999/img63.gif) |
(2) |
vorausgesetzt (Generation-Rekombination verschiedener Dotand-Defekt-Paare).
Zwischen den diffundierenden Spezies Xi,
, können
zusätzlich Randreaktionen mit Reaktionsraten
![\begin{displaymath}
R_{\alpha\beta}^\Gamma(x,b_1,\dots,b_l,\psi)=
k^\Gamma_{\alp...
...1}^l a_i^{\beta_i}\Big],~
x\in\Gamma,~ b\in\IR^l_+,~\psi\in\IR,\end{displaymath}](../1999/img65.gif)
auftreten.
Die kinetischen Koeffizienten
Di,
und
hängen außer von
noch vom Ort und
vom Zustand selbst (beschrieben durch den Vektor
) ab.
Die in [3] benutzten Methoden zu
energetischen Abschätzungen
können für den betrachteten Fall von Heterostrukturen adaptiert werden, was
auf die folgenden Resultate führt: Das Problem (1) besitzt einen durch
eindeutig bestimmten stationären Zustand
. Die
freie Energie
![\begin{displaymath}
F(u)=\int\Big\{\frac{\varepsilon}{2}\vert\nabla\psi\vert^2+g...
...[\ln{\frac{u_i}{p_{i0}}}-1\big]+p_{i0}\big\}\Big\}
\,\mbox{d}x,\end{displaymath}](../1999/img71.gif)
wobei
und
die eindeutig bestimmte Lösung der Poissongleichung zu u ist,
ist entlang von Lösungen von (1) beschränkt und fällt monoton und
exponentiell gegen ihren Gleichgewichtswert F(u*). Diese energetischen
Abschätzungen bilden die Grundlage für weitere
a priori-Abschätzungen
für Lösungen von (1).
Unter der für Paardiffusionsmodelle erfüllten Voraussetzung, dass die
Quellterme
aus den Volumenreaktionen maximal zweiter Ordnung sind, haben wir im räumlich
zweidimensionalen Fall
die Existenz globaler oberer Schranken für die Teilchendichten ui
nachgewiesen.
Dazu werden zunächst die
- und
-Normen der chemischen Aktivitäten bi
abgeschätzt.
Hier verwenden wir die Voraussetzung (2) und Folgerungen aus dem
exponentiellen
Fallen der freien Energie entlang von Lösungen von (1), um die aus der
Drift und den Reaktionen resultierenden Terme zu kontrollieren.
Eine anschließende Moser-Iteration liefert für die
diffundierenden Spezies
globale obere Schranken für die chemischen Aktivitäten bi und
Teilchendichten ui, mit deren Kenntnis schließlich auch die
entsprechenden Schranken für die nicht diffundierenden Spezies gewonnen
werden.
Für strikt positive Anfangswerte haben wir globale positive
untere Schranken für die chemischen Aktivitäten bi und
Teilchendichten ui hergeleitet. Von der Länge des
Zeitintervalls abhängende Abschätzungen
sichern zunächst die Zulässigkeit von Testfunktionen der Form

Die erste Testfunktion
führt für
auf
, mittels der zweiten
Testfunktion und Moser-Iteration gelangen wir zu positiven globalen unteren
Schranken für die chemischen Aktivitäten bi,
.Hieraus können aufgrund der vorhandenen Reaktion (2)
die entsprechenden Resultate für die nicht diffundierenden Spezies
gewonnen werden.
Mit Hilfe der a priori-Abschätzungen und des exponentiellen Fallens der
freien Energie haben wir weitere Aussagen zum
asymptotischen Verhalten
von Lösungen des Paardiffusionsmodells (1)
erhalten. Insbesondere nähern sich die Teilchendichten ui,
die chemischen Aktivitäten bi und das chemische Potential der Elektronen
in jeder Lp-Norm exponentiell ihrem Gleichgewichtswert. Aufgrund von
Regularitätsaussagen für elliptische Gleichungen gilt die Asymptotik
für
auch in der
-Norm. Für die ausführliche Diskussion
der hier vorgestellten Paardiffusionsmodelle
verweisen wir auf [2].
Aussagen zur Lösbarkeit von (1) sind Gegenstand aktueller Untersuchungen,
Resultate für den Fall einer homogenen glatt berandeten Struktur
sind in [4] zu finden.
Projektliteratur:
- K. GHADERI, G. HOBLER,
Simulation of phosphorus diffusion in silicon
using a pair diffusion model with a reduced number of parameters, J.
Electrochem. Soc., 142 (1995), pp. 1654-1658.
- A. GLITZKY, R. HÜNLICH,
Global properties of pair diffusion models, in Vorbereitung.
- R. HÜNLICH, A. GLITZKY, On energy estimates for
electro-diffusion
equations arising in semiconductor technology, in: Partial differential
equations. Theory and numerical solution (W. Jäger, J. Necas,
O. John, K. Najzar, J. Stará, Hrsg.), Research Notes
in Mathematics, 406, Chapman & Hall/CRC, Boca Raton,
2000, pp. 158-174.
- W. MERZ, A. GLITZKY, R. HÜNLICH, K. PULVERER,
Strong solutions for
pair diffusion models in homogeneous semiconductors,
Preprint SFB-438-9921, SFB 438, TU München, Univ. Augsburg, 1999.
LaTeX typesetting by I. Bremer
1/16/2001